怎么選擇內(nèi)存條

怎么選擇內(nèi)存條

　　筆記本內(nèi)存則對尺寸、穩(wěn)定性、散熱性方面有一定的要求。那么怎么選擇內(nèi)存條呢?下面是學習啦小編收集整理的怎么選擇內(nèi)存條，希望對大家有幫助~~

　　選擇內(nèi)存條的方法

　　工具/原料

　　內(nèi)存條

　　適用類型

　　1筆記本內(nèi)存就是應(yīng)用于筆記本電腦的內(nèi)存產(chǎn)品，筆記本內(nèi)存只是使用的環(huán)境與臺式機內(nèi)存不同，在工作原理方面并沒有什么區(qū)別。只是因為筆記本電腦對內(nèi)存的穩(wěn)定性、體積、散熱性方面的需求，筆記本內(nèi)存在這幾方面要優(yōu)于臺式機內(nèi)存，價格方面也要高于臺式機內(nèi)存。

　　筆記本誕生于臺式機的486年代，在那個時代的筆記本電腦，所采用的內(nèi)存各不相同，各種品牌的機型使用的內(nèi)存千奇百怪，甚至同一機型的不同批次也有不同的內(nèi)存，規(guī)格極其復雜，有的機器甚至使用PCMICA閃存卡來做內(nèi)存。進入到臺式機的586時代，筆記本廠商開始推廣72針的SO DIMM標準筆記本內(nèi)存，而市場上還同時存在著多種規(guī)格的筆記本內(nèi)存，諸如：72針5伏的FPM;72針5伏的EDO;72針3.3伏的FPM;72針3.3伏的EDO。此幾種類型的筆記本內(nèi)存都已成為"古董"級的寶貝，早已在市場內(nèi)消失了。在進入到"奔騰"時代，144針的3.3伏的EDO標準筆記本內(nèi)存。在往后隨著臺式機內(nèi)存中SDRAM的普及，筆記本內(nèi)存也出現(xiàn)了144針的SDRAM?，F(xiàn)在DDR的筆記本內(nèi)存也在市面中較為普遍了，而在一些輕薄筆記本內(nèi)，還有些機型使用與普通機型不同的Micro DIMM接口內(nèi)存。

　　對于多數(shù)的筆記本電腦都并沒有配備單獨的顯存，而是采用內(nèi)存共享的形式，內(nèi)存要同時負擔內(nèi)存和顯存的存儲作用，因此內(nèi)存對于筆記本電腦性能的影響很大。

　　服務(wù)器是企業(yè)信息系統(tǒng)的核心，因此對內(nèi)存的可靠性非常敏感。服務(wù)器上運行著企業(yè)的關(guān)鍵業(yè)務(wù)，內(nèi)存錯誤可能造成服務(wù)器錯誤并使數(shù)據(jù)永久丟失。因此服務(wù)器內(nèi)存在可靠性方面的要求很高，所以服務(wù)器內(nèi)存大多都帶有Buffer(緩存器)，Register(寄存器)，ECC(錯誤糾正代碼)，以保證把錯誤發(fā)生可能性降到最低。服務(wù)器內(nèi)存具有普通PC內(nèi)存所不具備的高性能、高兼容性和高可靠性。

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　　主頻

　　1內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz(兆赫)為單位來計量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率室333MHz和400MHz的DDR內(nèi)存，以及533MHz和667MHz的DDR2內(nèi)存。

　　大家知道，計算機系統(tǒng)的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來，這一變化的電流就是時鐘信號。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時的時鐘信號是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發(fā)生器提供的，也就是說內(nèi)存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。

　　DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍;而DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz;DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。

　　內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了)，只不過搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時內(nèi)存的等效頻率將高達DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標準頻率)，由此可見，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。

　　目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。

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　　傳輸類型

　　1傳輸類型指內(nèi)存所采用的內(nèi)存類型，不同類型的內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋透饔胁町?，在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面都有不同。目前市場中主要有的內(nèi)存類型有SDRAM、RDRAM、DDR和DDR2四種。其中DDR和DDR2內(nèi)存占據(jù)了市場的主流，而SDRAM內(nèi)存規(guī)格已不再發(fā)展，處于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場的主流，只有部分芯片組支持，而這些芯片組也逐漸退出了市場，RDRAM前景并不被看好。

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　　接口類型

　　1接口類型是根據(jù)內(nèi)存條金手指上導電觸片的數(shù)量來劃分的，金手指上的導電觸片也習慣稱為針腳數(shù)(Pin)。因為不同的內(nèi)存采用的接口類型各不相同，而每種接口類型所采用的針腳數(shù)各不相同。筆記本內(nèi)存一般采用144Pin、200Pin接口;臺式機內(nèi)存則基本使用168Pin和184Pin接口。對應(yīng)于內(nèi)存所采用的不同的針腳數(shù)，內(nèi)存插槽類型也各不相同。目前臺式機系統(tǒng)主要有SIMM、DIMM和RIMM三種類型的內(nèi)存插槽，而筆記本內(nèi)存插槽則是在SIMM和DIMM插槽基礎(chǔ)上發(fā)展而來，基本原理并沒有變化，只是在針腳數(shù)上略有改變。

　　金手指(conNECting finger)是內(nèi)存條上與內(nèi)存插槽之間的連接部件，所有的信號都是通過金手指進行傳送的。金手指由眾多金黃色的導電觸片組成，因其表面鍍金而且導電觸片排列如手指狀，所以稱為"金手指"。金手指實際上是在覆銅板上通過特殊工藝再覆上一層金，因為金的抗氧化性極強，而且傳導性也很強。不過因為金昂貴的價格，目前較多的內(nèi)存都采用鍍錫來代替，從上個世紀90年代開始錫材料就開始普及，目前主板、內(nèi)存和顯卡等設(shè)備的"金手指"幾乎都是采用的錫材料，只有部分高性能服務(wù)器/工作站的配件接觸點才會繼續(xù)采用鍍金的做法，價格自然不菲。

　　內(nèi)存處理單元的所有數(shù)據(jù)流、電子流正是通過金手指與內(nèi)存插槽的接觸與PC系統(tǒng)進行交換，是內(nèi)存的輸出輸入端口，因此其制作工藝對于內(nèi)存連接顯得相當重要。

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　　內(nèi)存插槽

　　1最初的計算機系統(tǒng)通過單獨的芯片安裝內(nèi)存，那時內(nèi)存芯片都采用DIP(Dual ln-line Package，雙列直插式封裝)封裝，DIP芯片是通過安裝在插在總線插槽里的內(nèi)存卡與系統(tǒng)連接，此時還沒有正式的內(nèi)存插槽。DIP芯片有個最大的問題就在于安裝起來很麻煩，而且隨著時間的增加，由于系統(tǒng)溫度的反復變化，它會逐漸從插槽里偏移出來。隨著每日頻繁的計算機啟動和關(guān)閉，芯片不斷被加熱和冷卻，慢慢地芯片會偏離出插槽。最終導致接觸不好，產(chǎn)生內(nèi)存錯誤。

　　早期還有另外一種方法是把內(nèi)存芯片直接焊接在主板或擴展卡里，這樣有效避免了DIP芯片偏離的問題，但無法再對內(nèi)存容量進行擴展，而且如果一個芯片發(fā)生損壞，整個系統(tǒng)都將不能使用，只能重新焊接一個芯片或更換包含壞芯片的主板，此種方法付出的代價較大，也極為不方便。

　　對于內(nèi)存存儲器，大多數(shù)現(xiàn)代的系統(tǒng)都已采用單列直插內(nèi)存模塊(Single Inline Memory Module，SIMM)或雙列直插內(nèi)存模塊(Dual Inline Memory Module，DIMM)來替代單個內(nèi)存芯片。早期的EDO和SDRAM內(nèi)存，使用過SIMM和DIMM兩種插槽，但從SDRAM開始，就以DIMM插槽為主，而到了DDR和DDR2時代，SIMM插槽已經(jīng)很少見了。下邊具體的說一下幾種常見的內(nèi)存插槽。

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　　容量

　　1內(nèi)存容量是指該內(nèi)存條的存儲容量，是內(nèi)存條的關(guān)鍵性參數(shù)。內(nèi)存容量以MB作為單位，可以簡寫為M。內(nèi)存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，一般而言，內(nèi)存容量越大越有利于系統(tǒng)的運行。目前臺式機中主流采用的內(nèi)存容量為256MB或512MB，64MB、128MB的內(nèi)存已較少采用。

　　系統(tǒng)對內(nèi)存的識別是以Byte(字節(jié))為單位，每個字節(jié)由8位二進制數(shù)組成，即8bit(比特，也稱"位")。按照計算機的二進制方式，1Byte=8bit;1KB=1024Byte;1MB=1024KB;1GB=1024MB;1TB=1024GB。

　　系統(tǒng)中內(nèi)存的數(shù)量等于插在主板內(nèi)存插槽上所有內(nèi)存條容量的總和，內(nèi)存容量的上限一般由主板芯片組和內(nèi)存插槽決定。不同主板芯片組可以支持的容量不同，比如Inlel的810和815系列芯片組最高支持512MB內(nèi)存，多余的部分無法識別。目前多數(shù)芯片組可以支持到2GB以上的內(nèi)存，主流的可以支持到4GB，更高的可以到16GB。此外主板內(nèi)存插槽的數(shù)量也會對內(nèi)存容量造成限制，比如使用128MB一條的內(nèi)存，主板由兩個內(nèi)存插槽，最高可以使用256MB內(nèi)存。因此在選擇內(nèi)存時要考慮主板內(nèi)存插槽數(shù)量，并且可能需要考慮將來有升級的余地。

　　內(nèi)存電壓 內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞。SDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在3.3伏左右，上下浮動額度不超過0.3伏;DDR SDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在2.5伏左右，上下浮動額度不超過0.2伏;而DDR2 SDRAM內(nèi)存的工作電壓一般在1.8V左右。具體到每種品牌、每種型號的內(nèi)存，則要看廠家了，但都會遵循SDRAM內(nèi)存3.3伏、DDR SDRAM內(nèi)存2.5伏、DDR2 SDRAM內(nèi)存1.8伏的基本要求，在允許的范圍內(nèi)浮動。略微提高內(nèi)存電壓，有利于內(nèi)存超頻，但是同時發(fā)熱量大大增加，因此有損壞硬件的風險。

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　　顆粒封裝

　　1顆粒封裝其實就是內(nèi)存芯片所采用的封裝技術(shù)類型，封裝就是將內(nèi)存芯片包裹起來，以避免芯片與外界接觸，防止外界對芯片的損害。空氣中的雜質(zhì)和不良氣體，乃至水蒸氣都會腐蝕芯片上的精密電路，進而造成電學性能下降。不同的封裝技術(shù)在制造工序和工藝方面差異很大，封裝后對內(nèi)存芯片自身性能的發(fā)揮也起到至關(guān)重要的作用。

　　隨著光電、微電制造工藝技術(shù)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發(fā)展，因此芯片元件的封裝形式也不斷得到改進。芯片的封裝技術(shù)多種多樣，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，種類不下三十種，經(jīng)歷了從DIP、TSOP到BGA的發(fā)展歷程。芯片的封裝技術(shù)已經(jīng)歷了幾代的變革，性能日益先進，芯片面積與封裝面積之比越來越接近，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，以及引腳數(shù)增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便。

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　　傳輸標準

　　內(nèi)存是計算機內(nèi)部最為關(guān)鍵的部件之一，其有很嚴格的制造要求。而其中的傳輸標準則代表著對內(nèi)存速度方面的標準。不同類型的內(nèi)存，無論是SDRAM、DDR SDRAM，還是RDRAM都有不同的規(guī)格，每種規(guī)格的內(nèi)存在速度上是各不相同的。傳輸標準是內(nèi)存的規(guī)范，只有完全符合該規(guī)范才能說該內(nèi)存采用了此傳輸標準。比如說傳輸標準PC3200內(nèi)存，代表著此內(nèi)存為工作頻率200MHz，等效頻率為400MHz的DDR內(nèi)存，也就是常說的DDR400。

　　傳輸標準術(shù)購買內(nèi)存的首要選擇條件之一，它代表著該內(nèi)存的速度。目前市場中所有的內(nèi)存?zhèn)鬏敇藴视蠸DRAM的PC100、PC133;DDR SDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700;RDRAM的PC600、PC800和PC1066等。

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　　CL設(shè)置

　　內(nèi)存負責向CPU提供運算所需的原始數(shù)據(jù)，而目前CPU運行速度超過內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待內(nèi)存提供數(shù)據(jù)，這就是常說的"CPU等待時間"。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰?，CPU等待時間就會越長，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內(nèi)存是有效提升CPU效率和整機性能的關(guān)鍵之一。

　　在實際工作時，無論什么類型的內(nèi)存，在數(shù)據(jù)被傳輸之前，傳送方必須花費一定時間去等待傳輸請求的響應(yīng)，通俗點說就是傳輸前傳輸雙方必須要進行必要的通信，而這種就會造成傳輸?shù)囊欢ㄑ舆t時間。CL設(shè)置一定程度上反映出了該內(nèi)存在CPU接到讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)的指令后，到正式開始讀取數(shù)據(jù)所需的等待時間。不難看出同頻率的內(nèi)存，CL設(shè)置低的更具有速度優(yōu)勢。

　　上面只是給大家建立一個基本的CL概念，而實際上內(nèi)存延遲的基本因素絕對不止這些。內(nèi)存延遲時間有個專門的術(shù)語叫"Latency"。要形象的了解延遲，我們不妨把內(nèi)存當成一個存儲著數(shù)據(jù)的數(shù)組，或者一個EXCEL表格，要確定每個數(shù)據(jù)的位置，每個數(shù)據(jù)都是以行和列編排序號來標示，在確定了行、列序號之后該數(shù)據(jù)就唯一了。內(nèi)存工作時，在要讀取或?qū)懭肽硵?shù)據(jù)，內(nèi)存控制芯片會先把數(shù)據(jù)的列地址傳送過去，這個RAS信號(Row Address Strobe，行地址信號)就被激活，而在轉(zhuǎn)化到行數(shù)據(jù)前，需要經(jīng)過幾個執(zhí)行周期，然后接下來CAS信號(Column Address Strobe，列地址信號)被激活。在RAS信號和CAS信號之間的幾個執(zhí)行周期就是RAS-to-CAS延遲時間。在CAS信號被執(zhí)行之后同樣也需要幾個執(zhí)行周期。此執(zhí)行周期在使用標準PC133的SDRAM大約是2到3個周期;而DDR RAM則是4到5個周期。在DDR中，真正的CAS延遲時間則是2到2.5個執(zhí)行周期。RAS-to-CAS的時間則視技術(shù)而定，大約是5到7個周期，這也是延遲的基本因素。

　　CL設(shè)置較低的內(nèi)存具備更高的優(yōu)勢，這可以從總的延遲時間來表現(xiàn)。內(nèi)存總的延遲時間有一個計算公式，總延遲時間=系統(tǒng)時鐘周期×CL模式數(shù)+存取時間(tAC)。首先來了解一下存取時間(tAC)的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時的最大數(shù)輸入時鐘，是以納秒為單位的，與內(nèi)存時鐘周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時間(tAC)代表著讀取、寫入的時間，而時鐘頻率則代表內(nèi)存的速度。

　　舉個例子來計算一下總延遲時間，比如一條DDR333內(nèi)存其存取時間為6ns，其內(nèi)存時鐘周期為6ns(DDR內(nèi)存時鐘周期=1X2/內(nèi)存頻率，DDR333內(nèi)存頻率為333，則可計算出其時鐘周期為6ns)。我們在主板的BIOS中將其CL設(shè)置為2.5，則總的延遲時間=6ns X2.5+6ns=21ns，而如果CL設(shè)置為2，那么總的延遲時間=6ns X2+6ns=18 ns，就減少了3ns的時間。

　　從總的延遲時間來看，CL值的大小起到了很關(guān)鍵的作用。所以對系統(tǒng)要求高和喜歡超頻的用戶通常喜歡購買CL值較低的內(nèi)存。目前各內(nèi)存顆粒廠商除了從提高內(nèi)存時鐘頻率來提高DDR的性能之外，已經(jīng)考慮通過更進一步的降低CAS延遲時間來提高內(nèi)存性能。不同類型內(nèi)存的典型CL值并不相同，例如目前典型DDR的CL值為2.5或者2，而大部分DDR2 533的延遲參數(shù)都是4或者5，少量高端DDR2的CL值可以達到3。

　　不過，并不是說CL值越低性能就越好，因為其它的因素會影響這個數(shù)據(jù)。例如，新一代處理器的高速緩存較有效率，這表示處理器比較少地直接從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)。再者，列的數(shù)據(jù)會比較常被存取，所以RAS-to-CAS的發(fā)生幾率也大，讀取的時間也會增多。最后，有時會發(fā)生同時讀取大量數(shù)據(jù)的情形，在這種情形下，相鄰的內(nèi)存數(shù)據(jù)會一次被讀取出來，CAS延遲時間只會發(fā)生一次。

　　選擇購買內(nèi)存時，最好選擇同樣CL設(shè)置的內(nèi)存，因為不同速度的內(nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，系統(tǒng)會以較慢的速度來運行，也就是當CL2.5和CL2的內(nèi)存同時插在主機內(nèi)，系統(tǒng)會自動讓兩條內(nèi)存都工作在CL2.5狀態(tài)，造成資源浪費。