臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條怎么選擇

臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條怎么選擇

　　根據(jù)內(nèi)存條所應(yīng)用的主機(jī)不同，內(nèi)存產(chǎn)品也各自不同的特點(diǎn)。那我們的臺(tái)式機(jī)要怎么選擇內(nèi)存條呢?下面就讓學(xué)習(xí)啦小編就教大家臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條怎么選擇。

　　臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條的選擇方法

　　適用類型

　　筆記本內(nèi)存就是應(yīng)用于筆記本電腦的內(nèi)存產(chǎn)品，筆記本內(nèi)存只是使用的環(huán)境與臺(tái)式機(jī)內(nèi)存不同，在工作原理方面并沒有什么區(qū)別。只是因?yàn)楣P記本電腦對(duì)內(nèi)存的穩(wěn)定性、體積、散熱性方面的需求，筆記本內(nèi)存在這幾方面要優(yōu)于臺(tái)式機(jī)內(nèi)存，價(jià)格方面也要高于臺(tái)式機(jī)內(nèi)存。

　　筆記本誕生于臺(tái)式機(jī)的486年代，在那個(gè)時(shí)代的筆記本電腦，所采用的內(nèi)存各不相同，各種品牌的機(jī)型使用的內(nèi)存千奇百怪，甚至同一機(jī)型的不同批次也有不同的內(nèi)存，規(guī)格極其復(fù)雜，有的機(jī)器甚至使用PCMICA閃存卡來(lái)做內(nèi)存。進(jìn)入到臺(tái)式機(jī)的586時(shí)代，筆記本廠商開始推廣72針的SO DIMM標(biāo)準(zhǔn)筆記本內(nèi)存，而市場(chǎng)上還同時(shí)存在著多種規(guī)格的筆記本內(nèi)存，諸如：72針5伏的FPM;72針5伏的EDO;72針3.3伏的FPM;72針3.3伏的EDO。此幾種類型的筆記本內(nèi)存都已成為"古董"級(jí)的寶貝，早已在市場(chǎng)內(nèi)消失了。在進(jìn)入到"奔騰"時(shí)代，144針的3.3伏的EDO標(biāo)準(zhǔn)筆記本內(nèi)存。在往后隨著臺(tái)式機(jī)內(nèi)存中SDRAM的普及，筆記本內(nèi)存也出現(xiàn)了144針的SDRAM?，F(xiàn)在DDR的筆記本內(nèi)存也在市面中較為普遍了，而在一些輕薄筆記本內(nèi)，還有些機(jī)型使用與普通機(jī)型不同的Micro DIMM接口內(nèi)存。

　　對(duì)于多數(shù)的筆記本電腦都并沒有配備單獨(dú)的顯存，而是采用內(nèi)存共享的形式，內(nèi)存要同時(shí)負(fù)擔(dān)內(nèi)存和顯存的存儲(chǔ)作用，因此內(nèi)存對(duì)于筆記本電腦性能的影響很大。

　　服務(wù)器是企業(yè)信息系統(tǒng)的核心，因此對(duì)內(nèi)存的可靠性非常敏感。服務(wù)器上運(yùn)行著企業(yè)的關(guān)鍵業(yè)務(wù)，內(nèi)存錯(cuò)誤可能造成服務(wù)器錯(cuò)誤并使數(shù)據(jù)永久丟失。因此服務(wù)器內(nèi)存在可靠性方面的要求很高，所以服務(wù)器內(nèi)存大多都帶有Buffer(緩存器)，Register(寄存器)，ECC(錯(cuò)誤糾正代碼)，以保證把錯(cuò)誤發(fā)生可能性降到最低。服務(wù)器內(nèi)存具有普通PC內(nèi)存所不具備的高性能、高兼容性和高可靠性。

　　主頻

　　內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz(兆赫)為單位來(lái)計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率室333MHz和400MHz的DDR內(nèi)存，以及533MHz和667MHz的DDR2內(nèi)存。

　　大家知道，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來(lái)衡量的。晶體振蕩器控制著時(shí)鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動(dòng)起來(lái)，這一震動(dòng)可以通過(guò)晶片的形變和大小記錄下來(lái)。晶體的震動(dòng)以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來(lái)，這一變化的電流就是時(shí)鐘信號(hào)。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的，也就是說(shuō)內(nèi)存無(wú)法決定自身的工作頻率，其實(shí)際工作頻率是由主板來(lái)決定的。

　　DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍;而DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz;DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。

　　內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時(shí)都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡(jiǎn)單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時(shí)其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了)，只不過(guò)搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時(shí)可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時(shí)內(nèi)存的等效頻率將高達(dá)DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過(guò)才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達(dá)到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率)，由此可見，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。

　　目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。

　　傳輸類型

　　傳輸類型指內(nèi)存所采用的內(nèi)存類型，不同類型的內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋透饔胁町悾趥鬏斅?、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面都有不同。目前市場(chǎng)中主要有的內(nèi)存類型有SDRAM、RDRAM、DDR和DDR2四種。其中DDR和DDR2內(nèi)存占據(jù)了市場(chǎng)的主流，而SDRAM內(nèi)存規(guī)格已不再發(fā)展，處于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場(chǎng)的主流，只有部分芯片組支持，而這些芯片組也逐漸退出了市場(chǎng)，RDRAM前景并不被看好。

　　　接口類型

　　接口類型是根據(jù)內(nèi)存條金手指上導(dǎo)電觸片的數(shù)量來(lái)劃分的，金手指上的導(dǎo)電觸片也習(xí)慣稱為針腳數(shù)(Pin)。因?yàn)椴煌膬?nèi)存采用的接口類型各不相同，而每種接口類型所采用的針腳數(shù)各不相同。筆記本內(nèi)存一般采用144Pin、200Pin接口;臺(tái)式機(jī)內(nèi)存則基本使用168Pin和184Pin接口。對(duì)應(yīng)于內(nèi)存所采用的不同的針腳數(shù)，內(nèi)存插槽類型也各不相同。目前臺(tái)式機(jī)系統(tǒng)主要有SIMM、DIMM和RIMM三種類型的內(nèi)存插槽，而筆記本內(nèi)存插槽則是在SIMM和DIMM插槽基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)，基本原理并沒有變化，只是在針腳數(shù)上略有改變。

　　金手指(conNECting finger)是內(nèi)存條上與內(nèi)存插槽之間的連接部件，所有的信號(hào)都是通過(guò)金手指進(jìn)行傳送的。金手指由眾多金黃色的導(dǎo)電觸片組成，因其表面鍍金而且導(dǎo)電觸片排列如手指狀，所以稱為"金手指"。金手指實(shí)際上是在覆銅板上通過(guò)特殊工藝再覆上一層金，因?yàn)榻鸬目寡趸詷O強(qiáng)，而且傳導(dǎo)性也很強(qiáng)。不過(guò)因?yàn)榻鸢嘿F的價(jià)格，目前較多的內(nèi)存都采用鍍錫來(lái)代替，從上個(gè)世紀(jì)90年代開始錫材料就開始普及，目前主板、內(nèi)存和顯卡等設(shè)備的"金手指"幾乎都是采用的錫材料，只有部分高性能服務(wù)器/工作站的配件接觸點(diǎn)才會(huì)繼續(xù)采用鍍金的做法，價(jià)格自然不菲。

　　內(nèi)存處理單元的所有數(shù)據(jù)流、電子流正是通過(guò)金手指與內(nèi)存插槽的接觸與PC系統(tǒng)進(jìn)行交換，是內(nèi)存的輸出輸入端口，因此其制作工藝對(duì)于內(nèi)存連接顯得相當(dāng)重要。

　　　內(nèi)存插槽

　　最初的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)通過(guò)單獨(dú)的芯片安裝內(nèi)存，那時(shí)內(nèi)存芯片都采用DIP(Dual ln-line Package，雙列直插式封裝)封裝，DIP芯片是通過(guò)安裝在插在總線插槽里的內(nèi)存卡與系統(tǒng)連接，此時(shí)還沒有正式的內(nèi)存插槽。DIP芯片有個(gè)最大的問(wèn)題就在于安裝起來(lái)很麻煩，而且隨著時(shí)間的增加，由于系統(tǒng)溫度的反復(fù)變化，它會(huì)逐漸從插槽里偏移出來(lái)。隨著每日頻繁的計(jì)算機(jī)啟動(dòng)和關(guān)閉，芯片不斷被加熱和冷卻，慢慢地芯片會(huì)偏離出插槽。最終導(dǎo)致接觸不好，產(chǎn)生內(nèi)存錯(cuò)誤。

　　早期還有另外一種方法是把內(nèi)存芯片直接焊接在主板或擴(kuò)展卡里，這樣有效避免了DIP芯片偏離的問(wèn)題，但無(wú)法再對(duì)內(nèi)存容量進(jìn)行擴(kuò)展，而且如果一個(gè)芯片發(fā)生損壞，整個(gè)系統(tǒng)都將不能使用，只能重新焊接一個(gè)芯片或更換包含壞芯片的主板，此種方法付出的代價(jià)較大，也極為不方便。

　　對(duì)于內(nèi)存存儲(chǔ)器，大多數(shù)現(xiàn)代的系統(tǒng)都已采用單列直插內(nèi)存模塊(Single Inline Memory Module，SIMM)或雙列直插內(nèi)存模塊(Dual Inline Memory Module，DIMM)來(lái)替代單個(gè)內(nèi)存芯片。早期的EDO和SDRAM內(nèi)存，使用過(guò)SIMM和DIMM兩種插槽，但從SDRAM開始，就以DIMM插槽為主，而到了DDR和DDR2時(shí)代，SIMM插槽已經(jīng)很少見了。下邊具體的說(shuō)一下幾種常見的內(nèi)存插槽。

　　容量

　　內(nèi)存容量是指該內(nèi)存條的存儲(chǔ)容量，是內(nèi)存條的關(guān)鍵性參數(shù)。內(nèi)存容量以MB作為單位，可以簡(jiǎn)寫為M。內(nèi)存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，一般而言，內(nèi)存容量越大越有利于系統(tǒng)的運(yùn)行。目前臺(tái)式機(jī)中主流采用的內(nèi)存容量為256MB或512MB，64MB、128MB的內(nèi)存已較少采用。

　　系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存的識(shí)別是以Byte(字節(jié))為單位，每個(gè)字節(jié)由8位二進(jìn)制數(shù)組成，即8bit(比特，也稱"位")。按照計(jì)算機(jī)的二進(jìn)制方式，1Byte=8bit;1KB=1024Byte;1MB=1024KB;1GB=1024MB;1TB=1024GB。

　　系統(tǒng)中內(nèi)存的數(shù)量等于插在主板內(nèi)存插槽上所有內(nèi)存條容量的總和，內(nèi)存容量的上限一般由主板芯片組和內(nèi)存插槽決定。不同主板芯片組可以支持的容量不同，比如Inlel的810和815系列芯片組最高支持512MB內(nèi)存，多余的部分無(wú)法識(shí)別。目前多數(shù)芯片組可以支持到2GB以上的內(nèi)存，主流的可以支持到4GB，更高的可以到16GB。此外主板內(nèi)存插槽的數(shù)量也會(huì)對(duì)內(nèi)存容量造成限制，比如使用128MB一條的內(nèi)存，主板由兩個(gè)內(nèi)存插槽，最高可以使用256MB內(nèi)存。因此在選擇內(nèi)存時(shí)要考慮主板內(nèi)存插槽數(shù)量，并且可能需要考慮將來(lái)有升級(jí)的余地。

　　內(nèi)存電壓 內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞。SDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在3.3伏左右，上下浮動(dòng)額度不超過(guò)0.3伏;DDR SDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在2.5伏左右，上下浮動(dòng)額度不超過(guò)0.2伏;而DDR2 SDRAM內(nèi)存的工作電壓一般在1.8V左右。具體到每種品牌、每種型號(hào)的內(nèi)存，則要看廠家了，但都會(huì)遵循SDRAM內(nèi)存3.3伏、DDR SDRAM內(nèi)存2.5伏、DDR2 SDRAM內(nèi)存1.8伏的基本要求，在允許的范圍內(nèi)浮動(dòng)。略微提高內(nèi)存電壓，有利于內(nèi)存超頻，但是同時(shí)發(fā)熱量大大增加，因此有損壞硬件的風(fēng)險(xiǎn)。

　　顆粒封裝

　　顆粒封裝其實(shí)就是內(nèi)存芯片所采用的封裝技術(shù)類型，封裝就是將內(nèi)存芯片包裹起來(lái)，以避免芯片與外界接觸，防止外界對(duì)芯片的損害?？諝庵械碾s質(zhì)和不良?xì)怏w，乃至水蒸氣都會(huì)腐蝕芯片上的精密電路，進(jìn)而造成電學(xué)性能下降。不同的封裝技術(shù)在制造工序和工藝方面差異很大，封裝后對(duì)內(nèi)存芯片自身性能的發(fā)揮也起到至關(guān)重要的作用。

　　隨著光電、微電制造工藝技術(shù)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發(fā)展，因此芯片元件的封裝形式也不斷得到改進(jìn)。芯片的封裝技術(shù)多種多樣，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，種類不下三十種，經(jīng)歷了從DIP、TSOP到BGA的發(fā)展歷程。芯片的封裝技術(shù)已經(jīng)歷了幾代的變革，性能日益先進(jìn)，芯片面積與封裝面積之比越來(lái)越接近，適用頻率越來(lái)越高，耐溫性能越來(lái)越好，以及引腳數(shù)增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便。

　　　　傳輸標(biāo)準(zhǔn)

　　內(nèi)存是計(jì)算機(jī)內(nèi)部最為關(guān)鍵的部件之一，其有很嚴(yán)格的制造要求。而其中的傳輸標(biāo)準(zhǔn)則代表著對(duì)內(nèi)存速度方面的標(biāo)準(zhǔn)。不同類型的內(nèi)存，無(wú)論是SDRAM、DDR SDRAM，還是RDRAM都有不同的規(guī)格，每種規(guī)格的內(nèi)存在速度上是各不相同的。傳輸標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存的規(guī)范，只有完全符合該規(guī)范才能說(shuō)該內(nèi)存采用了此傳輸標(biāo)準(zhǔn)。比如說(shuō)傳輸標(biāo)準(zhǔn)PC3200內(nèi)存，代表著此內(nèi)存為工作頻率200MHz，等效頻率為400MHz的DDR內(nèi)存，也就是常說(shuō)的DDR400。

　　傳輸標(biāo)準(zhǔn)術(shù)購(gòu)買內(nèi)存的首要選擇條件之一，它代表著該內(nèi)存的速度。目前市場(chǎng)中所有的內(nèi)存?zhèn)鬏敇?biāo)準(zhǔn)有SDRAM的PC100、PC133;DDR SDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700;RDRAM的PC600、PC800和PC1066等。

　　CL設(shè)置

　　內(nèi)存負(fù)責(zé)向CPU提供運(yùn)算所需的原始數(shù)據(jù)，而目前CPU運(yùn)行速度超過(guò)內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待內(nèi)存提供數(shù)據(jù)，這就是常說(shuō)的"CPU等待時(shí)間"。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰?，CPU等待時(shí)間就會(huì)越長(zhǎng)，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內(nèi)存是有效提升CPU效率和整機(jī)性能的關(guān)鍵之一。

　　在實(shí)際工作時(shí)，無(wú)論什么類型的內(nèi)存，在數(shù)據(jù)被傳輸之前，傳送方必須花費(fèi)一定時(shí)間去等待傳輸請(qǐng)求的響應(yīng)，通俗點(diǎn)說(shuō)就是傳輸前傳輸雙方必須要進(jìn)行必要的通信，而這種就會(huì)造成傳輸?shù)囊欢ㄑ舆t時(shí)間。CL設(shè)置一定程度上反映出了該內(nèi)存在CPU接到讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)的指令后，到正式開始讀取數(shù)據(jù)所需的等待時(shí)間。不難看出同頻率的內(nèi)存，CL設(shè)置低的更具有速度優(yōu)勢(shì)。

　　上面只是給大家建立一個(gè)基本的CL概念，而實(shí)際上內(nèi)存延遲的基本因素絕對(duì)不止這些。內(nèi)存延遲時(shí)間有個(gè)專門的術(shù)語(yǔ)叫"Latency"。要形象的了解延遲，我們不妨把內(nèi)存當(dāng)成一個(gè)存儲(chǔ)著數(shù)據(jù)的數(shù)組，或者一個(gè)EXCEL表格，要確定每個(gè)數(shù)據(jù)的位置，每個(gè)數(shù)據(jù)都是以行和列編排序號(hào)來(lái)標(biāo)示，在確定了行、列序號(hào)之后該數(shù)據(jù)就唯一了。內(nèi)存工作時(shí)，在要讀取或?qū)懭肽硵?shù)據(jù)，內(nèi)存控制芯片會(huì)先把數(shù)據(jù)的列地址傳送過(guò)去，這個(gè)RAS信號(hào)(Row Address Strobe，行地址信號(hào))就被激活，而在轉(zhuǎn)化到行數(shù)據(jù)前，需要經(jīng)過(guò)幾個(gè)執(zhí)行周期，然后接下來(lái)CAS信號(hào)(Column Address Strobe，列地址信號(hào))被激活。在RAS信號(hào)和CAS信號(hào)之間的幾個(gè)執(zhí)行周期就是RAS-to-CAS延遲時(shí)間。在CAS信號(hào)被執(zhí)行之后同樣也需要幾個(gè)執(zhí)行周期。此執(zhí)行周期在使用標(biāo)準(zhǔn)PC133的SDRAM大約是2到3個(gè)周期;而DDR RAM則是4到5個(gè)周期。在DDR中，真正的CAS延遲時(shí)間則是2到2.5個(gè)執(zhí)行周期。RAS-to-CAS的時(shí)間則視技術(shù)而定，大約是5到7個(gè)周期，這也是延遲的基本因素。

　　CL設(shè)置較低的內(nèi)存具備更高的優(yōu)勢(shì)，這可以從總的延遲時(shí)間來(lái)表現(xiàn)。內(nèi)存總的延遲時(shí)間有一個(gè)計(jì)算公式，總延遲時(shí)間=系統(tǒng)時(shí)鐘周期×CL模式數(shù)+存取時(shí)間(tAC)。首先來(lái)了解一下存取時(shí)間(tAC)的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時(shí)的最大數(shù)輸入時(shí)鐘，是以納秒為單位的，與內(nèi)存時(shí)鐘周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時(shí)間(tAC)代表著讀取、寫入的時(shí)間，而時(shí)鐘頻率則代表內(nèi)存的速度。

　　舉個(gè)例子來(lái)計(jì)算一下總延遲時(shí)間，比如一條DDR333內(nèi)存其存取時(shí)間為6ns，其內(nèi)存時(shí)鐘周期為6ns(DDR內(nèi)存時(shí)鐘周期=1X2/內(nèi)存頻率，DDR333內(nèi)存頻率為333，則可計(jì)算出其時(shí)鐘周期為6ns)。我們?cè)谥靼宓腂IOS中將其CL設(shè)置為2.5，則總的延遲時(shí)間=6ns X2.5+6ns=21ns，而如果CL設(shè)置為2，那么總的延遲時(shí)間=6ns X2+6ns=18 ns，就減少了3ns的時(shí)間。

　　從總的延遲時(shí)間來(lái)看，CL值的大小起到了很關(guān)鍵的作用。所以對(duì)系統(tǒng)要求高和喜歡超頻的用戶通常喜歡購(gòu)買CL值較低的內(nèi)存。目前各內(nèi)存顆粒廠商除了從提高內(nèi)存時(shí)鐘頻率來(lái)提高DDR的性能之外，已經(jīng)考慮通過(guò)更進(jìn)一步的降低CAS延遲時(shí)間來(lái)提高內(nèi)存性能。不同類型內(nèi)存的典型CL值并不相同，例如目前典型DDR的CL值為2.5或者2，而大部分DDR2 533的延遲參數(shù)都是4或者5，少量高端DDR2的CL值可以達(dá)到3。

　　不過(guò)，并不是說(shuō)CL值越低性能就越好，因?yàn)槠渌囊蛩貢?huì)影響這個(gè)數(shù)據(jù)。例如，新一代處理器的高速緩存較有效率，這表示處理器比較少地直接從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)。再者，列的數(shù)據(jù)會(huì)比較常被存取，所以RAS-to-CAS的發(fā)生幾率也大，讀取的時(shí)間也會(huì)增多。最后，有時(shí)會(huì)發(fā)生同時(shí)讀取大量數(shù)據(jù)的情形，在這種情形下，相鄰的內(nèi)存數(shù)據(jù)會(huì)一次被讀取出來(lái)，CAS延遲時(shí)間只會(huì)發(fā)生一次。

　　選擇購(gòu)買內(nèi)存時(shí)，最好選擇同樣CL設(shè)置的內(nèi)存，因?yàn)椴煌俣鹊膬?nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，系統(tǒng)會(huì)以較慢的速度來(lái)運(yùn)行，也就是當(dāng)CL2.5和CL2的內(nèi)存同時(shí)插在主機(jī)內(nèi)，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)讓兩條內(nèi)存都工作在CL2.5狀態(tài)，造成資源浪費(fèi)。