移動(dòng)硬盤能做啟動(dòng)盤嗎
移動(dòng)硬盤能做啟動(dòng)盤嗎
多磁頭技術(shù)：通過在同一碟片上增加多個(gè)磁頭同時(shí)的讀或?qū)憗頌橛脖P提速，或同時(shí)在多碟片同時(shí)利用磁頭來讀或?qū)憗頌榇疟P提速，多用于服務(wù)器和數(shù)據(jù)庫中心。下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來的關(guān)于移動(dòng)硬盤能做啟動(dòng)盤嗎的內(nèi)容，歡迎閱讀!
移動(dòng)硬盤能做啟動(dòng)盤嗎?
移動(dòng)硬盤能代替U盤做系統(tǒng)啟動(dòng)盤。
詳細(xì)說明：
移動(dòng)硬盤和U盤一樣都是可移動(dòng)存儲(chǔ)器。
寫入特殊的引導(dǎo)后兩者都能被主板發(fā)現(xiàn)。
支持U盤啟動(dòng)制作的軟件通常也支持移動(dòng)硬盤，如ultraiso。
需要注意的是，制作啟動(dòng)盤時(shí)整個(gè)移動(dòng)硬盤所有分區(qū)都被刪除并重新分區(qū)寫入，會(huì)丟失一切數(shù)據(jù)，應(yīng)提前備份。
1、首先，我們需要給移動(dòng)硬盤劃分一個(gè)獨(dú)立的分區(qū)，建議分區(qū)大小設(shè)置為8GB左右，同時(shí)將此分區(qū)設(shè)置為”活動(dòng)分區(qū)“。
2、接下來我們從網(wǎng)上搜索下載“移動(dòng)硬盤啟動(dòng)盤制作工具”并安裝對(duì)應(yīng)的軟件程序。大家也可以直接從以下地址獲取程序的下載地址。
3、安裝并運(yùn)行“硬盤啟動(dòng)盤制作工具”，同時(shí)插入移動(dòng)硬盤，待程序正常識(shí)別移動(dòng)硬盤后，點(diǎn)擊“開始制作”按鈕。
4、接下來選擇移動(dòng)硬盤活動(dòng)分區(qū)所在的盤符，點(diǎn)擊“一鍵制作啟動(dòng)U盤”按鈕。如圖所示：在此需要正常選擇文件寫入的分區(qū)。
5、此時(shí)將彈出如圖所示的“警告”窗口，此操作將刪除當(dāng)前分區(qū)中的的所有數(shù)據(jù)信息，對(duì)此如果有重要信息，需要提前做好備份工作。
6、接下來只需要等待移動(dòng)硬盤啟動(dòng)盤制作過程的完成即可。由于整個(gè)操作無法人工干涉，因此制作啟動(dòng)盤過程非常簡單。
7、待啟動(dòng)U盤制作完成后，我們進(jìn)入移動(dòng)硬盤啟動(dòng)盤活動(dòng)分區(qū)，找到“ISO”或“CHO”文件夾，將對(duì)應(yīng)的系統(tǒng)文件拷貝到此目錄下即可。以后就可以使用此啟動(dòng)硬盤來重裝系統(tǒng)啦。
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閃存就如同其名字一樣，寫入前刪除數(shù)據(jù)進(jìn)行初始化。具體說就是從所有浮動(dòng)?xùn)胖袑?dǎo)出電子。即將有所數(shù)據(jù)歸“1”。寫入時(shí)只有數(shù)據(jù)為0時(shí)才進(jìn)行寫入，數(shù)據(jù)為1時(shí)則什么也不做。寫入0時(shí)，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導(dǎo)的電子能量。
這樣一來，電子就會(huì)突破氧化膜絕緣體，進(jìn)入浮動(dòng)?xùn)?。讀取數(shù)據(jù)時(shí)，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動(dòng)?xùn)艣]有電子的狀態(tài)(數(shù)據(jù)為1)下，在柵電極施加電壓的狀態(tài)時(shí)向漏極施加電壓，源極和漏極之間由于大量電子的移動(dòng)，就會(huì)產(chǎn)生電流。而在浮動(dòng)?xùn)庞须娮拥臓顟B(tài)(數(shù)據(jù)為0)下，溝道中傳導(dǎo)的電子就會(huì)減少。因?yàn)槭┘釉跂烹姌O的電壓被浮動(dòng)?xùn)烹娮游蘸?，很難對(duì)溝道產(chǎn)生影響。
自1998年至2000年，有很多公司聲稱自己是第一個(gè)發(fā)明了USB閃存盤。包括中國朗科科技，以色列M-Systems，新加坡Trek公司。但是真正獲得U盤基礎(chǔ)性發(fā)明專利的卻是中國朗科公司。2002年7月，朗科公司“用于數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的快閃電子式外存儲(chǔ)方法及其裝置”(專利號(hào)：ZL 99 1 17225.6)獲得國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局正式授權(quán)。該專利填補(bǔ)了中國計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)領(lǐng)域20年來發(fā)明專利的空白。該專利權(quán)的獲得引起了整個(gè)存儲(chǔ)界的極大震動(dòng)。包括以色列M-Systems立即向中國國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提出了無效復(fù)審，一度成為全球閃存領(lǐng)域震驚中外的專利權(quán)之爭。但是2004年12月7日，朗科獲得美國國家專利局正式授權(quán)的閃存盤基礎(chǔ)發(fā)明專利，美國專利號(hào)US6829672。這一專利權(quán)的獲得，最終結(jié)束了這場爭奪。中國朗科公司才是U盤的全球第一個(gè)發(fā)明者。
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