舊電腦內(nèi)存升級(jí)教程

舊電腦內(nèi)存升級(jí)教程

　　舊電腦內(nèi)存怎么升級(jí)?電腦使用時(shí)間久了，運(yùn)行速度自然會(huì)變慢，當(dāng)電腦運(yùn)行速度太慢的時(shí)候，我們可以考慮為電腦內(nèi)存進(jìn)行一次升級(jí)，下面，就跟著學(xué)習(xí)啦小編一起來看看舊電腦內(nèi)存升級(jí)教程。

　　舊電腦內(nèi)存升級(jí)教程

　　內(nèi)存又稱主存，是CPU能直接尋址的存儲(chǔ)空間，由半導(dǎo)體器件制成。內(nèi)存的特點(diǎn)是存取速率快。內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。內(nèi)存就是暫時(shí)存儲(chǔ)程序以及數(shù)據(jù)的地方，比如當(dāng)我們?cè)谑褂肳PS處理文稿時(shí)，當(dāng)你在鍵盤上敲入字符時(shí)，它就被存入內(nèi)存中，當(dāng)你選擇存盤時(shí)，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)才會(huì)被存入硬(磁)盤。

　　1、確定升級(jí)方案：筆者電腦在操作過程中產(chǎn)生明顯的反應(yīng)遲鈍現(xiàn)象，根據(jù)以往的經(jīng)驗(yàn)確定為內(nèi)存過小導(dǎo)致，因?yàn)槟壳氨緳C(jī)的內(nèi)存只有2*256=512MB.因此，重要的解決辦法就是升級(jí)內(nèi)存?？紤]到升級(jí)成本和內(nèi)存插槽個(gè)數(shù)的問題，計(jì)劃將其中的一根256MB內(nèi)存替換1GB，升級(jí)后的內(nèi)存大小為 10240MB+256MB=10496MB，約為1.25GB，已滿足實(shí)際需要。

　　2、打開機(jī)箱，查看主板的詳細(xì)信息。主板上一般會(huì)有詳細(xì)的型號(hào)，根據(jù)這個(gè)類型，就可以在相關(guān)的網(wǎng)站上查找與主板相對(duì)應(yīng)的一系列參數(shù)信息。例如，筆者從主板上獲取主板的型號(hào)為：MS-6555。

　　3、根據(jù)該主板的型號(hào)參數(shù)，通過上網(wǎng)查找相關(guān)的官方網(wǎng)站，可得知關(guān)于此主板的一系統(tǒng)參數(shù)，其中得到的最重要的幾個(gè)參數(shù)是：

　　內(nèi)存類型：DDR

　　最大擴(kuò)展內(nèi)存：2GB

　　內(nèi)存插槽數(shù)量：2*DDR DIMM

　　傳輸標(biāo)準(zhǔn)：PC1600/PC2100

　　4、參數(shù)概念的細(xì)化。(1)內(nèi)存類型為“DDR”。(2)傳輸標(biāo)準(zhǔn)PC1600/PC2100，通過查找得知其實(shí)就是DDR200/DDR266。(3)最大擴(kuò)展內(nèi)存：2GB。據(jù)此可得知，從最經(jīng)濟(jì)、最實(shí)用的角度來看，可以選擇購買一根內(nèi)存類型為“DDR266”、容量為1GB的內(nèi)存作為替換。

　　5、根據(jù)這一要求在網(wǎng)上購買相關(guān)的硬件產(chǎn)品，買回來后，需要再次確定所購買的硬件產(chǎn)品的參數(shù)是否符合要求，在確定無誤的情況下，打開包裝，此時(shí)要慎重!先讓手碰一下機(jī)箱，以消除人體的靜電，然后用手輕輕取出內(nèi)存條，適度的插入到主板上任意一個(gè)插槽中，確保內(nèi)存條兩側(cè)的扣手將內(nèi)存條卡緊。

　　6、完成后就可以安裝到機(jī)內(nèi)主板上開機(jī)調(diào)試了，如果一切正常的話，在進(jìn)入桌面以后，通過右擊“我的電腦”，在屬性窗口中即可查看內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)容量，以確定內(nèi)存是否得到正確升級(jí)。

　　注意事項(xiàng)

　　1、由于硬件的脆弱性，在升級(jí)之前一定要確定被替換的硬件和替換的硬件屬于同一類型。

　　2、用手拿內(nèi)存條之前一定先要消除身上的靜電，防止靜電擊穿內(nèi)存條上的電路器件。

　　關(guān)于內(nèi)存條內(nèi)存條是CPU可通過總線尋址，并進(jìn)行讀寫操作的電腦部件。內(nèi)存條在個(gè)人電腦歷史上曾經(jīng)是主內(nèi)存的擴(kuò)展。隨著電腦軟、硬件技術(shù)不斷更新的要求，內(nèi)存條已成為讀寫內(nèi)存的整體。我們通常所說電腦內(nèi)存(RAM)的大小，即是指內(nèi)存條的總?cè)萘俊?/p>

　　內(nèi)存條是電腦必不可少的組成部分，CPU可通過數(shù)據(jù)總線對(duì)內(nèi)存尋址。歷史上的電腦主板上有主內(nèi)存，內(nèi)存條是主內(nèi)存的擴(kuò)展。以后的電腦主板上沒有主內(nèi)存，CPU完全依賴內(nèi)存條。所有外存上的內(nèi)容必須通過內(nèi)存才能發(fā)揮作用。

　　關(guān)于內(nèi)存條

　　內(nèi)存條是CPU可通過總線尋址，并進(jìn)行讀寫操作的電腦部件。內(nèi)存條在個(gè)人電腦歷史上曾經(jīng)是主內(nèi)存的擴(kuò)展。隨著電腦軟、硬件技術(shù)不斷更新的要求，內(nèi)存條已成為讀寫內(nèi)存的整體。我們通常所說電腦內(nèi)存(RAM)的大小，即是指內(nèi)存條的總?cè)萘俊?/p>

　　內(nèi)存條是電腦必不可少的組成部分，CPU可通過數(shù)據(jù)總線對(duì)內(nèi)存尋址。歷史上的電腦主板上有主內(nèi)存，內(nèi)存條是主內(nèi)存的擴(kuò)展。以后的電腦主板上沒有主內(nèi)存，CPU完全依賴內(nèi)存條。所有外存上的內(nèi)容必須通過內(nèi)存才能發(fā)揮作用。

　　發(fā)展過程

　　誕生

　　起初，電腦所使用的內(nèi)存是一塊塊的IC，我們必須把它們焊接到主機(jī)板上才能正常使用，一旦某一塊內(nèi)存IC壞了，必須焊下來才能更換，這實(shí)在是太費(fèi)勁了。后來，電腦設(shè)計(jì)人員發(fā)明了模塊化的條裝內(nèi)存，每一條上集成了多塊內(nèi)存IC，相應(yīng)地，在主板上設(shè)計(jì)了內(nèi)存插槽，這樣，內(nèi)存條就可隨意拆卸了，從此，內(nèi)存的維修和擴(kuò)充都變得非常方便。

　　發(fā)展

　　內(nèi)存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對(duì)于計(jì)算機(jī)的發(fā)展造成了現(xiàn)實(shí)的阻礙。有鑒于此，內(nèi)存條便應(yīng)運(yùn)而生了。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計(jì)好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽。這樣就把內(nèi)存難以安裝更換的問題徹底解決了。

　　在80286主板發(fā)布之前，內(nèi)存并沒有被世人所重視，這個(gè)時(shí)候的內(nèi)存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對(duì)于當(dāng)時(shí)PC所運(yùn)行的工作程序來說，這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當(dāng)時(shí)軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺(tái)的出現(xiàn)，程序和硬件對(duì)內(nèi)存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴(kuò)大容量，內(nèi)存必須以獨(dú)立的封裝形式出現(xiàn)，因而誕生了“內(nèi)存條”概念。

　　在80286主板剛推出的時(shí)候，內(nèi)存條采用了SIMM(Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內(nèi)存模組)接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數(shù)據(jù)位和1 片校驗(yàn)位組成1 個(gè)bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年P(guān)C進(jìn)入民用市場(chǎng)，搭配80286處理器的30pin SIMM 內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開山鼻祖。

　　隨后，在1988 ～1990 年當(dāng)中，PC 技術(shù)迎來另一個(gè)發(fā)展高峰，也就是386和486時(shí)代，此時(shí)CPU 已經(jīng)向16bit 發(fā)展，所以30pin SIMM 內(nèi)存再也無法滿足需求，其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸，所以此時(shí)72pin SIMM 內(nèi)存出現(xiàn)了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內(nèi)存，內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時(shí)使用，由于其與30pin SIMM 內(nèi)存無法兼容，因此這個(gè)時(shí)候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內(nèi)存淘汰出局了。

　　EDO DRAM(Extended Date Out RAM，

　　外擴(kuò)充數(shù)據(jù)模式存儲(chǔ)器)內(nèi)存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內(nèi)存條，EDO-RAM同F(xiàn)P DRAM極其相似，它取消了擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔，在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時(shí)去訪問下一個(gè)頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應(yīng)用在當(dāng)時(shí)的486及早期的Pentium電腦上。

　　在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個(gè)尷尬的情況，那就是這幾年內(nèi)存技術(shù)發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時(shí)EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實(shí)上EDO 內(nèi)存也屬于72pin SIMM 內(nèi)存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展，此時(shí)單條EDO 內(nèi)存的容量已經(jīng)達(dá)到4 ～16MB 。由于Pentium及更高級(jí)別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM與FPM RAM都必須成對(duì)使用。

　　SDRAM時(shí)代

　　自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了，內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個(gè)革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求，此時(shí)內(nèi)存開始進(jìn)入比較經(jīng)典的SDRAM時(shí)代。

　　第一代SDRAM 內(nèi)存為PC66 規(guī)范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時(shí)代的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進(jìn)一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對(duì)應(yīng)CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度，因此它只需要一條內(nèi)存便可工作，便捷性進(jìn)一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號(hào)保持與系統(tǒng)外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。

　　不可否認(rèn)的是，SDRAM 內(nèi)存由早期的66MHz，發(fā)展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題，但此時(shí)CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場(chǎng)上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。

　　盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計(jì)劃，所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時(shí)，Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場(chǎng)的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場(chǎng)推廣Rambus DRAM內(nèi)存(稱為RDRAM內(nèi)存)。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計(jì)算機(jī))理論，這個(gè)理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。

　　在AMD與Intel的競(jìng)爭中，這個(gè)時(shí)候是屬于頻率競(jìng)備時(shí)代，所以這個(gè)時(shí)候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競(jìng)爭殺手锏，Rambus DRAM內(nèi)存以高時(shí)鐘頻率來簡化每個(gè)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)量，因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達(dá)到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認(rèn)為是Pentium 4 的絕配。

　　盡管如此，Rambus RDRAM 內(nèi)存生不逢時(shí)，后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當(dāng)時(shí)，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820 芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺(tái)高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內(nèi)存面前。

　　DDR時(shí)代

　　DDR SDRAM(Dual DataRate SDRAM)簡稱DDR，

　　也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SDRAM的升級(jí)版本，DDR在時(shí)鐘信號(hào)上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號(hào)，因此并不會(huì)造成能耗增加。至于定址與控制信號(hào)則與傳統(tǒng)SDRAM相同，僅在時(shí)鐘上升緣傳輸。

　　DDR 內(nèi)存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場(chǎng)空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進(jìn)，最終彌補(bǔ)內(nèi)存帶寬上的不足。第一代DDR200 規(guī)范并沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM(133MHz時(shí)鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸=266MHz帶寬)是由PC133 SDRAM內(nèi)存所衍生出的，它將DDR 內(nèi)存帶向第一個(gè)高潮，另外還有不少賽揚(yáng)和AMD K7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內(nèi)存，其后來的DDR333內(nèi)存也屬于一種過渡，而DDR400內(nèi)存成為當(dāng)下的主流平臺(tái)選配，雙通道DDR400內(nèi)存已經(jīng)成為800FSB處理器搭配的基本標(biāo)準(zhǔn)，隨后的DDR533 規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對(duì)象。

　　DDR2時(shí)代

　　DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。換句話說，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

　　此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。

　　隨著CPU 性能不斷提高，我們對(duì)內(nèi)存性能的要求也逐步升級(jí)。不可否認(rèn)，僅僅依高頻率提升帶寬的DDR遲早會(huì)力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標(biāo)準(zhǔn)，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺(tái)開始對(duì)DDR2內(nèi)存的支持，所以DDR2內(nèi)存將開始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。

　　DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運(yùn)行于1.8V 電壓上，從而進(jìn)一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標(biāo)和中斷指令，提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標(biāo)準(zhǔn)來看，針對(duì)PC等市場(chǎng)的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時(shí)鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝，內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。

　　內(nèi)存技術(shù)在2005年將會(huì)毫無懸念，SDRAM為代表的靜態(tài)內(nèi)存在五年內(nèi)不會(huì)普及。QBM與RDRAM內(nèi)存也難以挽回頹勢(shì)，因此DDR與DDR2共存時(shí)代將是鐵定的事實(shí)。

　　PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲(chǔ)器”，這也是大多數(shù)較新的芯片組支持的一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，VCM內(nèi)存主要根據(jù)由NEC公司開發(fā)的一種“緩存式DRAM”技術(shù)制造而成，它集成了“通道緩存”，由高速寄存器進(jìn)行配置和控制。在實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r(shí)，VCM還維持著對(duì)傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內(nèi)存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經(jīng)過CPU處理的數(shù)據(jù)，都可先交于VCM進(jìn)行處理，而普通的SDRAM就只能處理經(jīng)CPU處理以后的數(shù)據(jù)，所以VCM要比SDRAM處理數(shù)據(jù)的速度快20%以上。可以支持VCM SDRAM的芯片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。

　　RDRAM

　　Intel在推出：PC-100后，由于技術(shù)的發(fā)展，PC-100內(nèi)存的800MB/s帶寬已經(jīng)不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高并不大(1064MB/s)，同樣不能滿足日后的發(fā)展需求。Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場(chǎng)的目的，與Rambus公司聯(lián)合在PC市場(chǎng)推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)，如圖4-3所示。

　　Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內(nèi)存規(guī)格，采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，從而可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，可以在上升沿和下降沿的同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，這樣它的實(shí)際速度就為400MHz×2=800MHz，理論帶寬為(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相當(dāng)于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲(chǔ)存9bit字節(jié)，額外的一比特是屬于保留比特，可能以后會(huì)作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯(cuò)誤檢查修正)校驗(yàn)位。Rambus的時(shí)鐘可以高達(dá)400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內(nèi)存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊)，減少銅線的長度和數(shù)量就可以降低數(shù)據(jù)傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內(nèi)存的工作頻率。不過在高頻率下，其發(fā)出的熱量肯定會(huì)增加，因此第一款Rambus內(nèi)存甚至需要自帶散熱風(fēng)扇。

　　DDR3時(shí)代

　　DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電;DDR2的4bit預(yù)讀升級(jí)為8bit預(yù)讀。DDR3最高能夠以2400Mhz的速度，由于最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內(nèi)存模組將會(huì)從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個(gè)內(nèi)存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。

　　DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)：

　　1.8bit預(yù)取設(shè)計(jì)，而DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。

　　2.采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓?fù)浼軜?gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。

　　3.采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置(Reset)與ZQ校準(zhǔn)功能。

　　DDR4時(shí)代

　　DDR4內(nèi)存將會(huì)擁有兩種規(guī)格。其中使用Single-endedSignaling信號(hào)的DDR4內(nèi)存其傳輸速率已經(jīng)被確認(rèn)為1.6～3.2Gbps，而基于差分信號(hào)技術(shù)的DDR4內(nèi)存其傳輸速率則將可以達(dá)到6.4Gbps。由于通過一個(gè)DRAM實(shí)現(xiàn)兩種接口基本上是不可能的，因此DDR4內(nèi)存將會(huì)同時(shí)存在基于傳統(tǒng)SE信號(hào)和差分信號(hào)的兩種規(guī)格產(chǎn)品。

　　根據(jù)多位半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人員的介紹，DDR4內(nèi)存將會(huì)是Single-endedSignaling( 傳統(tǒng)SE信號(hào))方式DifferentialSignaling( 差分信號(hào)技術(shù) )方式并存。預(yù)計(jì)這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)將會(huì)推出不同的芯片產(chǎn)品，因此在DDR4內(nèi)存時(shí)代我們將會(huì)看到兩個(gè)互不兼容的內(nèi)存產(chǎn)品