DDR3和DDR3L內(nèi)存對比

DDR3和DDR3L內(nèi)存對比

　　最近在網(wǎng)上購買筆記本內(nèi)存的時候，發(fā)現(xiàn)筆記本DDR3內(nèi)存分為2種，一種是標準的DDR3內(nèi)存，另外還有一種DDR3L內(nèi)存。究竟DDR3L是什么意思?下面學習啦小編就來為大家介紹下DDR3L是什么意思以及DDR3和DDR3L內(nèi)存有什么區(qū)別。

　　DDR3和DDR3L內(nèi)存對比

　　DDR3L是什么意思?

　　DDR3大家都不會陌生，可以說是第三代DDR3內(nèi)存的代號。而這里的DDR3后面為什么要加一個字母“L”，代表的是什么含義呢?

　　其實這里后面的“L”是Low Voltage的縮寫，DDR3L全稱是DDR3 Low Voltage，也就是DDR3低電壓版，其工作電壓相比普通標準版的DDR3內(nèi)存更低一些，功耗更低，但性能也略微更低一些。

　　DDR3L低電壓內(nèi)存條一般主要用在筆記本、服務器等設備上，普通臺式電腦很少使用這種低電壓內(nèi)存條。

　　DDR3L是什么意思 DDR3和DDR3L有什么區(qū)別

　　DDR3和DDR3L內(nèi)存有什么區(qū)別?

　　DDR3L內(nèi)存的出現(xiàn)，主要用于一些低功耗設備中，比如為了盡量提升筆記本續(xù)航，就可以選用這種低電壓版DDR3L內(nèi)存。簡單來說，DDR3和DDR3L內(nèi)存區(qū)別主要體現(xiàn)功耗和性能這兩個方面。

　　1、功耗區(qū)別

　　標準的DDR3內(nèi)存采用1.5V工作電壓，而DDR3L內(nèi)存則采用的是1.35V工作電壓。

　　比如，一根4G DDR3L 1600筆記本內(nèi)存，要比DDR3節(jié)省2W功耗，如果組成雙通道將會節(jié)省4W功耗。

　　2、性能區(qū)別

　　DDR3L內(nèi)存功耗相比DDR3標準內(nèi)存低了15%，功耗的降低，自然會造成性能的下降。通過測試，DDR3L內(nèi)存性能要低于DDR3內(nèi)存，不過兩者差距并不算大。

　　3、價格區(qū)別

　　DDR3L內(nèi)存通常要比DDR3標準內(nèi)存便宜一些，具體大家可以網(wǎng)上搜索一下就知道了。

　　文至于此，相信大家對于DDR3L是什么意思以及DDR3低電壓內(nèi)存與普通標準版DDR3內(nèi)存之間的區(qū)別，就基本全部明白了，如果還有其他疑問，可以在下面的評論中與大家一起討論。

　　關于DDR內(nèi)存

　　DDR內(nèi)存全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現(xiàn)代等八家公司協(xié)議訂立的內(nèi)存規(guī)格，并得到了AMD、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持。它是SDRAM 的升級版本，因此也稱為「SDRAM II」。

　　簡介

　　DDR是現(xiàn)在的主流內(nèi)存規(guī)范，各大芯片組廠商的主流產(chǎn)品全部是支持它的。DDR全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM)。DDR的標稱和SDRAM一樣采用頻率?，F(xiàn)在DDR運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標識上采用了工作頻率×2的方法，也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400，一些內(nèi)存生產(chǎn)廠商為了迎合發(fā)燒友的需求，還推出了更高頻率的DDR內(nèi)存。其最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上，他在時鐘信號的上升沿與下降沿均可進行數(shù)據(jù)處理，使數(shù)據(jù)傳輸率達到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于尋址與控制信號則與SDRAM相同，僅在時鐘上升沿傳送。

　　工作原理

　　DDR SDRAM模塊部分與SDRAM模塊相比，改為采用184針(pin)，4～6 層印刷電路板，電氣接口則由「LVTTL」改變?yōu)椤窼STL2」。在其它組件或封裝上則與SDRAM模塊相同。DDR SDRAM模塊一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與SDRAM的模塊并不兼容。 DDR SDRAM在命名原則上也與SDRAM不同。SDRAM的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如PC100與PC133。而DDR SDRAM則是以數(shù)據(jù)傳輸量作為命名原則，例如PC1600以及PC2100，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其實與 PC1600 是相同的規(guī)格，數(shù)據(jù)傳輸量為 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s)，而 DDR266與PC2100 也是一樣的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。

　　DDR SDRAM 在規(guī)格上按信號延遲時間(CL;CAS Latency，CL是指內(nèi)存在收到訊號后，要等待多少個系統(tǒng)時鐘周期后才進行讀取的動作。一般而言是越短越好，不過這還要看內(nèi)存顆粒的原始設定值，否則會造成系統(tǒng)的不穩(wěn)定)也有所區(qū)別。按照電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(JEDEC)的定義(規(guī)格書編號為JESD79)：DDR SDRAM一共有兩種CAS延遲，分為2ns以及2.5ns(ns為十億分之一秒)。較快的 CL= 2 加上 PC 2100 規(guī)格的 DDR SDRAM稱作 DDR 266A，而較慢的 CL= 2.5 加上PC 2100規(guī)格的DDR SDRAM 則稱作 DDR 266B。另外，較慢的 PC1600 DDR SDRAM 在這方面則是沒有特別的編號。

　　時鐘頻率

　　它代表了內(nèi)存所能穩(wěn)定運行的最大頻率?，F(xiàn)在我們在市場上看到的DDR內(nèi)存主要是DDR533、DDR667和DDR800。 DDR1333

　　存取時間

　　存取時間代表了讀取數(shù)據(jù)所延遲的時間。以前人們有個誤區(qū)，認為它和系統(tǒng)時鐘頻率有著某種聯(lián)系，其實二者在本質上是有著顯著的區(qū)別的，可以說完全是兩回事。存取時間和時鐘周期一樣，越小則越優(yōu)。

　　CAS的延遲時間

　　這是指縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標志之一。我們用CAS Latency(CL)這個指標來衡量。在這里需要友情提醒一下想在近期購買電腦的讀者，Intel的處理器相對而言的對延遲時間不敏感，影響Intel處理器性能的主要是內(nèi)存的時鐘頻率;而對AMD處理器而言，影響它的主要是CAS延遲時間，因此AMD平臺的讀者在這個參數(shù)上要多多注意。