主板bioss內(nèi)存設(shè)置方法
主板bioss內(nèi)存設(shè)置方法
你們知道怎么設(shè)置主板的BIOS內(nèi)存嗎?下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來(lái)主板bioss內(nèi)存設(shè)置方法的內(nèi)容，歡迎閱讀!
主板bioss內(nèi)存設(shè)置的方法：
只要你的主板能夠支持通過(guò)BIOS調(diào)節(jié)內(nèi)存的頻率就可以這樣使用，否則新買(mǎi)的內(nèi)存就會(huì)被降頻。
通常新買(mǎi)的內(nèi)存規(guī)格參數(shù)都會(huì)比原來(lái)的老內(nèi)存高一些，例如老內(nèi)存規(guī)格為宇瞻DDR3 1333 2GB，延遲時(shí)序CL=9，而新買(mǎi)的內(nèi)存為雜牌DDR3 1600 2GB，CL=7。在目前的主流主板BIOS中都有針對(duì)內(nèi)存的超頻設(shè)置選項(xiàng)，我們可以利用它們來(lái)對(duì)內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，從而能讓它們和平相處，協(xié)同工作(如圖1)。
開(kāi)機(jī)后按下DEL鍵進(jìn)入主板BIOS的“OverDrive”界面，本例使用的是昂達(dá)A75T魔固主板，使用其他品牌型號(hào)主板的用戶需要自己找到相應(yīng)的界面。可以看到BIOS自動(dòng)識(shí)別了內(nèi)存，將“Memory boot Mode”選為“Easy Memory”，“Memory Frequency”內(nèi)存頻率選項(xiàng)和“Memory Performance Mode”內(nèi)存高級(jí)模式選項(xiàng)都被設(shè)為“Auto”自動(dòng)。一般來(lái)說(shuō)，如果和原有的1333MHz內(nèi)存一起使用的時(shí)候，1600MHz的內(nèi)存將被默認(rèn)降頻到1333MHz的主頻來(lái)運(yùn)行，不會(huì)對(duì)硬件造成任何影響，但是在高級(jí)參數(shù)中，一些雜牌內(nèi)存在混用時(shí)時(shí)序規(guī)格會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，因此需要將它們?cè)O(shè)置為和老內(nèi)存相同的數(shù)值。
取消“Memory Frequency”和“Memory Performance Mode”選項(xiàng)的“Auto”的設(shè)置，將前者設(shè)為“1333MHz” (如圖2)，而這時(shí)在“Memory Performance Mode”下的“CAS Latency”、“RAS/CAS Delay”、“Row Precharge Time”、“Min Active RAS”變?yōu)榭烧{(diào)，將它們?cè)O(shè)為9-9-9-30。然后保存重新開(kāi)機(jī)，即可正常進(jìn)入系統(tǒng)了。雖然并沒(méi)有發(fā)揮出新內(nèi)存的原有性能，但至少可以和老內(nèi)存的參數(shù)匹配了，混用變得更為穩(wěn)定。
小提示：
有的時(shí)候在兩條內(nèi)存混插后，開(kāi)機(jī)會(huì)出現(xiàn)點(diǎn)不亮的情況，這樣就進(jìn)不了BIOS進(jìn)行設(shè)置了。這個(gè)時(shí)候只有短接CMOS電池清除BIOS信息。在一些主板上會(huì)有一些貼心的設(shè)計(jì)，如本例這款主板上有一個(gè)Memory OK按鍵(如圖3)，按下它后，就可以將內(nèi)存的頻率及參數(shù)下調(diào)到能正常開(kāi)機(jī)的水平，接著繼續(xù)進(jìn)入BIOS再對(duì)它進(jìn)行設(shè)置。
其實(shí)內(nèi)存的所有規(guī)格參數(shù)都是記錄在SPD芯片，在開(kāi)機(jī)電腦會(huì)根據(jù)其中的參數(shù)運(yùn)行內(nèi)存。對(duì)于一些在BIOS中沒(méi)有提供內(nèi)存參數(shù)調(diào)節(jié)選項(xiàng)的老主板，那么我們就只能用軟件來(lái)修改參數(shù)，也就是把參數(shù)寫(xiě)入到SPD芯片中去，覆蓋掉原有的參數(shù)。
在這里使用SPD tool軟件，其修改內(nèi)存的參數(shù)比較多，但風(fēng)險(xiǎn)比較大，需要事先做好備份工作。首先只將新內(nèi)存插在電腦上，開(kāi)機(jī)打開(kāi)SPD tool，點(diǎn)擊菜單欄“File”→“Read”→“Module 0：Installed” (如圖4)，讀取該內(nèi)存的SPD信息。當(dāng)讀取完后點(diǎn)擊“File”→“Save”，將它保存到電腦硬盤(pán)中，注意備份的文件名。
接著開(kāi)始手動(dòng)修改界面下方的各個(gè)選項(xiàng)，其中SDRAM Cycle time at Maximum Supported CAS Latency(內(nèi)存支持的最大CAS潛伏周期)，這里的值是1.25ns(800MHz)，改為1.50ns(666MHz)。接下來(lái)改Minimum Clock Cycle at CLX-1(最小CAS潛伏周期1)和Minimum Clock Cycle at CLX-2(最小CAS潛伏周期2)，把1.50ns(666MHz)和1.67ns(592MHz)分別改為1.67ns(592MHz)和1.93ns(518MHz)。向下找到Minimum Row Precharge Time(tRP)和Minimum RAS to CAS delay(tRCD)都改為30ns。
如果感覺(jué)這樣的設(shè)置比較麻煩，那么可以將老內(nèi)存的SPD參數(shù)讀出來(lái)，將其直接寫(xiě)入到新內(nèi)存中(如圖5)。點(diǎn)擊菜單欄“File”→“Write”→“Module 0：Installed”，在出現(xiàn)提示時(shí)點(diǎn)“是”，在寫(xiě)入成功后重啟電腦。
當(dāng)然這還不能保證內(nèi)存刷新完全成功了，還需要使用MemTest軟件進(jìn)行測(cè)試，它的測(cè)試原理就是不停地對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀寫(xiě)，從而發(fā)現(xiàn)內(nèi)存中存在錯(cuò)誤的區(qū)域。與SPDtool功能類(lèi)似的軟件還有Thaiphoon Burner等，大家可以舉一反三。在修改時(shí)建議電腦上只插一條內(nèi)存，這樣不容易出現(xiàn)誤操作。
看了“主板bioss內(nèi)存設(shè)置方法”的內(nèi)容的人還看：