iphone6機(jī)身內(nèi)存是多少
iphone6機(jī)身內(nèi)存是多少
蘋果公司(Apple Inc. )是美國的一家高科技公司。由史蒂夫·喬布斯、斯蒂夫·沃茲尼亞克和羅·韋恩(Ron Wayne)等三人于1976年4月1日創(chuàng)立，下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來的關(guān)于iphone6機(jī)身內(nèi)存是多少的內(nèi)容，歡迎閱讀!
iphone6機(jī)身內(nèi)存是多少：
iPhone6+的系統(tǒng)占了3g左右的空間，而iPhone6+有16g 64g 128g三種容量版本。
iphone6plus最大機(jī)身內(nèi)存64G，配備 64 位架構(gòu)的 A8 芯片,M8 運(yùn)動(dòng)協(xié)處理器，5.5英寸 Retina HD 高清顯示屏 分辨率 1920 x 1080 。
五鏡式鏡頭;混合紅外線濾鏡;背照式感光元件;藍(lán)寶石水晶鏡頭表面;自動(dòng)圖像防抖動(dòng)功能;自動(dòng) HDR 照片;優(yōu)化的面部識別功能;曝光控制;全景模式 (高達(dá) 4300 萬像素);連拍快照模式;輕點(diǎn)對焦;照片地理標(biāo)記功能;計(jì)時(shí)模式。
Phone 6采用4.7英寸屏幕，分辨率為1334*750像素，內(nèi)置64位構(gòu)架的蘋果A8處理器，性能提升非常明顯;同時(shí)還搭配全新的M8協(xié)處理器，專為健康應(yīng)用所設(shè)計(jì);采用后置800萬像素鏡頭，前置120萬像素 鞠昀攝影FaceTime HD 高清攝像頭;并且加入Touch ID支持指紋識別，首次新增NFC功能;也是一款三網(wǎng)通手機(jī)，4G LTE連接速度可達(dá)150Mbps，支持多達(dá)20個(gè)LTE頻段。
北京時(shí)間2014年9月10日凌晨1點(diǎn)，蘋果公司在加州庫比蒂諾德安薩學(xué)院的弗林特藝術(shù)中心正式發(fā)布其新一代產(chǎn)品 iPhone 6。9月12日開啟預(yù)定，9月19日上市。首批上市的國家和地區(qū)包括美國、加拿大、法國、德國、英國、中國香港、日本、新加坡和澳大利亞，中國大陸無緣iPhone 6首發(fā)。
2014年10月10日零時(shí)，蘋果中國在線商店正式開啟iPhone 6/6 Plus預(yù)售，iPhone 6售價(jià)5288元起，iPhone 6 Plus售6088元起，每名用戶可分別最多購買2臺，到貨日期10月17日，同時(shí)三大運(yùn)營商也同步發(fā)售。
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自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了，內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個(gè)革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求，此時(shí)內(nèi)存開始進(jìn)入比較經(jīng)典的SDRAM時(shí)代。
第一代SDRAM內(nèi)存為PC66 規(guī)范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時(shí)代的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進(jìn)一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應(yīng)CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度，因此它只需要一條內(nèi)存便可工作，便捷性進(jìn)一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號保持與系統(tǒng)外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。
不可否認(rèn)的是，SDRAM內(nèi)存由早期的66MHz，發(fā)展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題，但此時(shí)CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。
盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計(jì)劃，所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時(shí)，Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM內(nèi)存(稱為RDRAM內(nèi)存)。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計(jì)算機(jī))理論，這個(gè)理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。
在AMD與Intel的競爭中，這個(gè)時(shí)候是屬于頻率競備時(shí)代，所以這個(gè)時(shí)候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手锏，Rambus DRAM內(nèi)存以高時(shí)鐘頻率來簡化每個(gè)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)量，因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達(dá)到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認(rèn)為是Pentium 4 的絕配。
盡管如此，Rambus RDRAM內(nèi)存生不逢時(shí)，后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當(dāng)時(shí)，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內(nèi)存面前。
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