DDR5內(nèi)存規(guī)格怎么樣
DDR5內(nèi)存規(guī)格怎么樣
當(dāng)大眾開始擁抱DDR4的時(shí)候，在IDF 2016大會(huì)卻公布了DDR4的“死期”了。依然是Intel，公布了DDR內(nèi)存的產(chǎn)品路線圖。其中，DDR5內(nèi)存計(jì)劃于2020年布局。計(jì)劃趕不上變化，DDR4在方興未艾之時(shí)，我們已經(jīng)可以遇見DDR5了。下面是學(xué)習(xí)啦小編給大家整理的一些有關(guān)DDR5內(nèi)存規(guī)格介紹，希望對(duì)大家有幫助!
DDR5內(nèi)存規(guī)格簡(jiǎn)單介紹
當(dāng)大眾開始擁抱DDR4的時(shí)候，在IDF 2016大會(huì)卻公布了DDR4的“死期”了。依然是Intel，公布了DDR內(nèi)存的產(chǎn)品路線圖。其中，DDR5內(nèi)存計(jì)劃于2020年布局。計(jì)劃趕不上變化，DDR4在方興未艾之時(shí)，我們已經(jīng)可以遇見DDR5了。那么，DDR5能帶給我們什么?
別GDDR5傻傻分不清!DDR5內(nèi)存規(guī)格首爆
一、可預(yù)見的DDR5內(nèi)存進(jìn)化
在IDF 2016之中，Intel只公布了關(guān)于DDR5時(shí)間表，那就是2020年走到臺(tái)前。除此之外，Intel沒有公布關(guān)于DDR5更多的規(guī)格。原因在于，DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)正在制定中，預(yù)計(jì)JEDEC(固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì))會(huì)在2016底公布DDR5的標(biāo)準(zhǔn)。
IDF 2016提出了DDR5的計(jì)劃
不過在2015年，另一個(gè)DRAM大腕三星就曾公布了關(guān)于DDR內(nèi)存的發(fā)展規(guī)劃，那就是“Post-DDR4”，因?yàn)楫?dāng)時(shí)還沒有業(yè)界提出DDR5的官方稱呼，所以三星就用了這個(gè)名稱來代替。
Post-DDR4，就是DDR5?
前面已經(jīng)提到，由于DDR5的標(biāo)準(zhǔn)尚未確立，所以這次三星只指定了底層的規(guī)格，包括：“Post-DDR4”內(nèi)存每個(gè)針腳的傳輸速率將達(dá)到6.4Gbps，是目前DDR4的2-4倍，帶寬會(huì)突破51.2GB/s(假設(shè)位寬64)，實(shí)現(xiàn)翻番。此外還有內(nèi)存組數(shù)(Banks)，DDR3是8個(gè)，DDR4是16個(gè)，后DDR4最高64個(gè)。
51.2GB/s帶寬相當(dāng)搶眼
單顆粒容量上，從4Gb、8Gb最高增加到32Gb(是bit的b，不是Byte的B)，這樣的話，單條32GB(是Byte的B，不是bit的b)的內(nèi)存將不是問題。
內(nèi)存發(fā)展時(shí)間軸，可以看到2018年將會(huì)有Post-DDR4的雛形
在工藝制程上，三星給出了“sub 10nm”這樣的說法，因?yàn)樵彤a(chǎn)品最快要等到2018年，他們此次并沒有直接畫大餅，還是比較保守。
可以看到，DDR5依然繼承了DDR歷代發(fā)展規(guī)律，那就是提頻率、高帶寬、大容量。估計(jì)到2020年，半導(dǎo)體工業(yè)會(huì)發(fā)展到10nm乃至個(gè)位數(shù)納米的制程，并裝備到DDR5內(nèi)存的DRAM之中。
VR平臺(tái)對(duì)性能、帶寬要求很高
每代DDR的頻率、容量的提升，是為適應(yīng)胃口更大、需求更高的應(yīng)用而生。無論是對(duì)內(nèi)存容量要求越來越高的互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用、專業(yè)軟件乃至大型游戲，還是即將改變?nèi)祟愺w驗(yàn)的VR技術(shù)，除了容量的嘗試外，內(nèi)存的帶寬，也逐漸從體驗(yàn)中感受到差距。尤其在VR之中，帶寬決定了你VR世界觀的大小。
二、莫急!DDR4表示大丈夫
DDR4取代DDR3，是速度與容量的革命，本質(zhì)上只是同一標(biāo)準(zhǔn)下的大躍進(jìn)。畢竟進(jìn)過了多年的發(fā)展，DDR的技術(shù)架構(gòu)已經(jīng)十分成熟。
DDR4，才剛開始起步呢
按照目前的發(fā)展規(guī)律，加上Intel的官方拍板，下一代Kaby Lake架構(gòu)對(duì)DDR4內(nèi)存的支持會(huì)從2133MHz提升到2400MHz(這里的支持就是表示內(nèi)存控制器與內(nèi)存頻率的同步運(yùn)行)，類似當(dāng)年DDR3 1333MHz發(fā)展到1600MHz那樣。考慮到目前DDR4的頻率極限為4.2GHz，估計(jì)平臺(tái)對(duì)DDR4的頻率支持，要發(fā)展到個(gè)猴年馬月了。
16GB單條會(huì)成為主流?
說完平臺(tái)與內(nèi)存，說回內(nèi)存本身。目前主流內(nèi)存頻率為2133MHz或者2400MHz，很明顯處于初起階段。往后還會(huì)繼續(xù)提升。預(yù)計(jì)到了2017年，DDR4內(nèi)存主流頻率可達(dá)2666MHz到3200MHz。容量方面，8GB單條依然是主流，到了2017年可能會(huì)出現(xiàn)16GB單條的主流趨勢(shì)。
新NAND技術(shù)對(duì)內(nèi)存有啥影響?
不過DDR并非無敵，總有不過也有兩個(gè)因素制約它繼續(xù)提高，其一是如果不使用單獨(dú)的緩存器，每個(gè)通道最多只能承載兩個(gè)內(nèi)存模塊;另外，在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)垂直芯片封裝下，最大時(shí)鐘頻率大概只能達(dá)到4.26GHz。不過根據(jù)目前愈發(fā)主流的HBM等3D堆棧式結(jié)構(gòu)、乃至光學(xué)結(jié)構(gòu)，都能讓DDR家族完善與提高。
或許，我們能期待能硬剛Intel建立的DDR帝國的新力量，RDRAM東山再起?還是斷電保存數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)，比如明星產(chǎn)品相變內(nèi)存、憶阻內(nèi)存(RRAM)、磁阻內(nèi)存(MRAM)?
所以，DDR4的發(fā)展還有一大段路要走，大家還是好好享受DDR4帶來的速度與容量的好處吧。
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