關(guān)于cpu超頻是什么

關(guān)于cpu超頻是什么

　　內(nèi)存超頻是一種既簡(jiǎn)單又復(fù)雜的過(guò)程，之所以簡(jiǎn)單，是我們可以對(duì)內(nèi)存“照葫蘆畫(huà)瓢”完成超頻設(shè)置操作，但那些超頻參數(shù)卻是學(xué)問(wèn)非常多。很多人都不知道怎么設(shè)置和是什么。為此學(xué)習(xí)啦小編為大家整理推薦了相關(guān)的知識(shí)，希望大家喜歡。

　　cpu超頻是什么的詳細(xì)介紹

　　1、關(guān)于內(nèi)存的頻率

　　與處理器一樣，內(nèi)存也有一個(gè)屬于自己的頻率。而現(xiàn)在DDR內(nèi)存的頻率分為兩類(lèi)，一類(lèi)是實(shí)際頻率、一類(lèi)是有效頻率。由于DDR內(nèi)存在一個(gè)時(shí)鐘周期的信號(hào)中可以同時(shí)識(shí)別上升沿和下降沿，所以DDR內(nèi)存的有效頻率是實(shí)際頻率的2倍，而我們市面上看到的DDR3-1333、DDR3-1600這樣的型號(hào)指的都是有效頻率，這也就能解釋各種監(jiān)控軟件顯示的內(nèi)存頻率與“實(shí)際”不符的原因了。

　　CPU-Z顯示的內(nèi)存頻率是內(nèi)存的實(shí)際頻率

　　2、內(nèi)存與處理器的關(guān)系

　　內(nèi)存和處理器是天生的一對(duì)兒，不僅互相依賴(lài)密不可分，同時(shí)在超頻的時(shí)候也會(huì)相互牽連。在早期的處理器中，處理器外頻是與內(nèi)存的頻率保持一致的，也就是說(shuō)隨著處理器的外頻的提高，內(nèi)存頻率也是隨著1:1的增加，所以當(dāng)時(shí)內(nèi)存的好壞對(duì)于處理器的發(fā)揮至關(guān)重要。

　　內(nèi)存的頻率與處理器外頻是“綁定”的關(guān)系

　　如今，處理器外頻與內(nèi)存頻率限定的并沒(méi)有那么嚴(yán)格了。雖然內(nèi)存頻率與處理器外頻仍然需要成比例，但是這個(gè)頻率比已經(jīng)可以進(jìn)行調(diào)節(jié)，也就是說(shuō)，我們?cè)跒閮?nèi)存超頻的同時(shí)，不用將處理器外頻調(diào)整至很高的水平，只需要調(diào)整頻率比就可以了。不過(guò)介于目前的Intel處理器的外頻調(diào)節(jié)非常有限，現(xiàn)在的內(nèi)存超頻的頻率也都是按照每一檔進(jìn)行調(diào)節(jié)，內(nèi)存頻率微調(diào)的能力被大大限制。

　　由于處理器的限制，現(xiàn)在Intel平臺(tái)下內(nèi)存的頻率是以“檔”劃分：

　　● 內(nèi)存的超頻幅度

　　不同于處理器，不同廠(chǎng)商不同型號(hào)的內(nèi)存會(huì)根據(jù)產(chǎn)品的定位以及自身的需求而選擇不同的內(nèi)存顆粒，而內(nèi)存顆粒之間的體質(zhì)差距還是相當(dāng)大的。但是整體來(lái)說(shuō)，我們買(mǎi)到的內(nèi)存基本上都有頻率往上調(diào)一個(gè)檔次的能力，即1333可到1600，、1600可到1866……當(dāng)然，也有那些能夠提升多個(gè)檔次的內(nèi)存條，我們一般稱(chēng)之為“神條”，而廠(chǎng)商也會(huì)在高端產(chǎn)品線(xiàn)中特意推出類(lèi)似的超頻內(nèi)存，供玩家把玩。

　　3、時(shí)序和電壓調(diào)節(jié)也很重要

　　● 內(nèi)存的小參數(shù)：時(shí)序

　　內(nèi)存超頻成功與否不僅要看內(nèi)存顆粒是否能夠承受高頻率下的考驗(yàn)，另外時(shí)序的調(diào)整也很重要。如果我們把內(nèi)存的讀寫(xiě)看成一種流水線(xiàn)作業(yè)的話(huà)，時(shí)序就像是其中每一個(gè)環(huán)節(jié)所需時(shí)間的調(diào)整。懂得內(nèi)存時(shí)序調(diào)節(jié)的高手，才能夠真正發(fā)揮內(nèi)存的最大性能。

　　內(nèi)存時(shí)序看似復(fù)雜但是有章可循

　　很可惜的是，內(nèi)存頻率與內(nèi)存時(shí)序往往成相互遷就的關(guān)系，當(dāng)內(nèi)存頻率逐漸提高的時(shí)候，我們就需要增大內(nèi)存時(shí)序以保證穩(wěn)定性。不過(guò)也是因?yàn)檫@個(gè)原因，我們?cè)谡{(diào)整內(nèi)存頻率遇到瓶頸的時(shí)候，往往可以考慮放寬時(shí)序，這樣可以讓內(nèi)存在原本不穩(wěn)定的頻率下變得穩(wěn)定。在頻率和時(shí)序面前，我們的第一考慮對(duì)象應(yīng)該還是頻率，所以時(shí)序一般是在內(nèi)存頻率提升出現(xiàn)瓶頸后再進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，以得到最佳的性能表現(xiàn)。

　　電壓調(diào)節(jié)不能馬虎

　　●內(nèi)存電壓

　　與處理器超頻一樣，內(nèi)存在超頻的過(guò)程中也免不了電壓的調(diào)整。按照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，DDR3的電壓應(yīng)該保持在1.5v，不過(guò)隨著內(nèi)存顆粒的工藝以及品質(zhì)的提高，越來(lái)越多的高端超頻內(nèi)存將默認(rèn)電壓設(shè)定在1.6v-1.65v，而在保證散熱的情況下，這樣的電壓不會(huì)對(duì)內(nèi)存造成傷害。筆者建議一般超頻的情況下，1.7v以下的電壓都是可以接受的范圍。而不同的內(nèi)存顆粒對(duì)于電壓的敏感度也是不一樣的，所以我們?cè)诔l的之前，可以查詢(xún)一下自己使用的內(nèi)存的品牌以及型號(hào)，以了解內(nèi)存的最佳電壓范圍。

　　嘗試讀取內(nèi)存的X.M.P可以簡(jiǎn)化超頻流程

　　另外，現(xiàn)在還有一些內(nèi)存采用了超低電壓設(shè)計(jì)，即1.5v一下，甚至可以低至1.35v。不過(guò)這類(lèi)內(nèi)存想要工作在這樣的低電壓環(huán)境下，還需要主板的支持才可以，而這類(lèi)內(nèi)存在超頻的過(guò)程中也盡量不要增加過(guò)高的電壓，以防止顆粒溫度過(guò)高而造成損壞。