手機運行內(nèi)存RAM是什么

手機運行內(nèi)存RAM是什么

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　　手機運行內(nèi)存RAM是什么

　　目前市面上手機的內(nèi)存大多是1GB、2GB、3GB的，512MB的已經(jīng)很少見了，一句話概況就是1G夠用(app程序裝太多的話會出現(xiàn)卡頓現(xiàn)象)，2G玩爽，3G土豪，4GB爽歪歪了。OPPO R7、OPPO R7plus、華為P8等都是3GB RAM。OPPO R7s、三星GALAXY S6 Edge+、三星GALAXY Note 5都是用的4GB RAM。

　　OPPO R7s 4GBRAM運行內(nèi)存

　　我們都知道，電子設(shè)備都要牽扯到一個叫做延遲的概念，在內(nèi)存身上就是時序，也可以稱之為CL延遲，CL是CAS Latency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時間越短。

　　通常情況下，我們用4個連著的阿拉伯數(shù)字來表示一個內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency，也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間。第二個數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個。

　　綜合這三點來看手機內(nèi)存，你就會有更深一層的認識，盲目的追求所謂的大內(nèi)存很多時候是沒用的，當內(nèi)存資源充足的時候，內(nèi)存技術(shù)、帶寬、CL延遲才是影響手機流暢與否的決定性因素。

　　不過話說回來，對于內(nèi)存占用率較高的Android手機而言，1GB容量只能算是及格，隨便用用就會占用85%以上的空間，如果內(nèi)存容量被占滿的話，手機流暢度會大打折扣。所以就目前來看，2GB容量運存是一個比較合理的數(shù)值，不至于被占滿也不至于太浪費。